SK海力士简介
SK海力士前身为1983年成立的现代电子产业株式会社，2012年被SK集团收购以后正式更名为SK海力士株式会社。SK海力士致力于生产DRAM、NAND Flash和CIS非存储器为主的半导体产品。作为全球领先的半导体制造商，当前在韩国利川和清州、 中国无锡和重庆设有四个生产基地，并在全球16个国家和地区设立了销售、研发等基地。基于过去三十多年的半导体生产运营经验， SK海力士致力于实现持续的研发与投资，增强技术与成本竞争力，引领全球半导体市场。
SK海力士公司历程
- 1983 创立现代电子
- 1984 韩国首次成功试产16Kb SRAM
- 1987 开始出口256Kb DRAM
- 1989 全球半导体市场份额列入前二十
- 1995 全球首次开发256Mb SRAM
- 成为韩国十大制造企业
- 1996 企业公开募股及上市
- 1999 量产全国最快Graphic 16Mb SDRAM
- 收购LG半导体
- 2001 更名为海力士半导体股份公司
- 脱离现代集团
- 2004 成功研发NAND Flash产品
- 2005 开始生产300mm
- 2006 中国合作工厂竣工
- 2008 韩国清州M11竣工
- 2012 SK海力士成立
- 韩国清州M12竣工
- 意大利/美国/台湾技术中心成立
- 2013 全球首次研发TSV技术HBM
- 2014 重庆后工序生产公司成立
- 2015 韩国利川M14竣工
- 2017 研发出20纳米级全球最快的GDDR6
- 2018 韩国清州M15竣工
- 韩国利川M16开工
- 2019 行业首次研发出128层4D NAND
- 无锡C2F竣工